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GT30J324中文资料

GT30J324图片

GT30J324外观图

  • 大小：166.34KB
  • 厂家：TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
  • 描述：Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
  • 晶体管类型:：绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
  • 集电极直流电流:：30A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:：2.45V
  • 功耗, Pd:：170W
  • 电压, Vceo:：600V
  • 工作温度范围:：-55°C 到 +150°C
  • 封装类型:：TO-3P
  • 针脚数:：3
  • 上升时间:：70ns
  • 下降时间典型值:：50ns
  • 功率, Pd:：170W
  • 功耗:：170W
  • 封装类型:：TO-3P (N)
  • 晶体管极性:：?频道
  • 最大功耗:：170W
  • 最大连续电流, Ic:：30A
  • 热阻, 结至外壳 A:：0.735°C/W
  • 电压, Vces:：600V
  • 电流, Icm 脉冲:：60A
  • 结温, Tj 最高:：150°C
  • 表面安装器件:：通孔安装

GT30J324供应商

更新时间:2023-01-20 12:36:49
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